规格书 |
MPS6601,02,51,52 |
文档 |
Multiple Devices 10/Oct/2012 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 5,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 600mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 50 @ 500mA, 1V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-92 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 30 V |
集电极最大直流电流 | 1 A |
最小直流电流增益 | 50@100mA@1V|50@500mA@1V|30@1000mA@1V |
最大工作频率 | 100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.6@100mA@1000mA V |
最大集电极基极电压 | 40 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 625000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Boxed |
集电极最大直流电流 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
包装宽度 | 4.19(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 625000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
最大集电极发射极电压 | 30 |
供应商封装形式 | TO-92 |
标准包装名称 | TO-92 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 5.2(Max) |
包装高度 | 5.33(Max) |
最大基地发射极电压 | 4 |
封装 | Bulk |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 600mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 50 @ 500mA, 1V |
其他名称 | MPS6652GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 1 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 30 V |
发射极 - 基极电压 | 4 V |
频率(最大) | 100 MHz |
功率耗散 | 625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 50 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | PNP |
频率 | 100 MHz |
集电极电流(DC ) | 1 A |
直流电流增益 | 50 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
Transition Frequency ft | :100MHz |
功耗 | :625mW |
DC Collector Current | :1A |
DC Current Gain hFE | :100 |
No. of Pins | :3 |
Weight (kg) | 0.00023 |
Tariff No. | 85412100 |
associated | MPSW51AG NTE129P |
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